Hynix giới thiệu DRAM di động nhanh nhất thế giới Hãng Hynix Semiconductor vừa cho biết đã phát triển thành công mẫu DRAM di động 512MB trên xung nhịp 200MHz - là loại DRAM di động nhỏ nhất và nhanh nhất hiện nay. Hynix cũng đồng thời cho biết, hãng này sắp nhận được giấy phép xây dựng nhà máy chipset di động quy mô lớn đầu tiên của thế giới. Nhờ sử dụng các ngõ I/O 32-bit mà loại DRAM di động mới của Hynix có khả năng xử lý 1.6Gbps (400 bps x32), nhanh xấp xỉ 1,5 lần so với các sản phẩm DRAM di động hiện có của hãng này. Hynix hy vọng loại DRAM di động 512MB mới sẽ giúp nâng cao năng lực cạnh tranh của hãng trong lĩnh vực ứng dụng di động. Đồng thời, Hynix cũng cho biết sẽ kết hợp DRAM di động 512MB và ổ flash NAND thành một gói đa chip (MCP). Theo VnMedia
