Samsung Electronics, công ty hàng đầu thế giới về chip nhớ, vừa thông báo họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt mô-đun RAM thế hệ mới cho các thiết bị di động dựa trên quy trình 1y-nm. Dòng chip nhớ này được gọi là LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate, 4X) DRAM với khả năng cải thiện hiệu suất và tiết kiệm năng lượng hơn.
Sewon Chun, phó chủ tịch phụ trách bộ phận chip nhớ của Samsung Electronics cho biết: “Sự ra đời của DRAM di động 10nm-class sẽ mang đến các giải pháp nâng cao đáng kể cho các flagship di động thế hệ tiếp theo sẽ tung ra thị trường vào cuối năm nay hoặc đầu năm 2019. Chúng tôi sẽ tiếp tục phát triển dòng sản phẩm DRAM cao cấp của mình để dẫn đầu phân khúc bộ nhớ hiệu suất cao và tiết kiệm năng lượng. Mục tiêu là đáp ứng nhu cầu của thị trường và tăng cường khả năng cạnh tranh trong kinh doanh của chúng tôi”.
Samsung sẽ mở rộng dòng sản phẩm DRAM cao cấp dựa trên quy trình 1y-nm lên hơn 70%. Sáng kiến này bắt đầu với việc sản xuất hàng loạt DRAM 8Gb DDR4 10nm đầu tiên vào tháng 11 và tiếp tục với chip nhớ di động LPGDR4X 16Gb 8 tháng sau đó.
Samsung cho biết họ đã tạo ra một gói DRAM 8GB LPDDR4X di động bằng cách kết hợp 4 chip 16Gb LPDDR4X DRAM 10nm-class (16Gb = 2GB). Gói bốn kênh này có thể hỗ trợ tốc độ truyền tải dữ liệu 34,1GB/giây và độ dày của nó đã giảm hơn 20% so với thế hệ đầu tiên. Chính điều này sẽ cho phép các OEM thiết kế các thiết bị di động mỏng hơn nhưng có hiệu suất xử lí và sử dụng năng lượng hiệu quả hơn.
Với những tiến bộ của LPDDR4X, Samsung sẽ nhanh chóng mở rộng thị phần DRAM di động bằng cách cung cấp nhiều sản phẩm có dung lượng lớn, bao gồm các gói LPDDR4X 4GB, 6 GB và 8GB.
Cùng với việc tung ra LPDDR4X 10nm-class, Samsung đã bắt đầu vận hành một dây chuyền sản xuất DRAM mới tại Pyeongtaek, Hàn Quốc, để đảm bảo nguồn cung cấp ổn định cho tất cả các chip DRAM di động, đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường.
Tham khảo: PhoneArena
Counterpoint: Không phải Xiaomi, Samsung mới là hãng dẫn đầu thị trường smartphone Ấn Độ Q2/2018
Sewon Chun, phó chủ tịch phụ trách bộ phận chip nhớ của Samsung Electronics cho biết: “Sự ra đời của DRAM di động 10nm-class sẽ mang đến các giải pháp nâng cao đáng kể cho các flagship di động thế hệ tiếp theo sẽ tung ra thị trường vào cuối năm nay hoặc đầu năm 2019. Chúng tôi sẽ tiếp tục phát triển dòng sản phẩm DRAM cao cấp của mình để dẫn đầu phân khúc bộ nhớ hiệu suất cao và tiết kiệm năng lượng. Mục tiêu là đáp ứng nhu cầu của thị trường và tăng cường khả năng cạnh tranh trong kinh doanh của chúng tôi”.
Samsung sẽ mở rộng dòng sản phẩm DRAM cao cấp dựa trên quy trình 1y-nm lên hơn 70%. Sáng kiến này bắt đầu với việc sản xuất hàng loạt DRAM 8Gb DDR4 10nm đầu tiên vào tháng 11 và tiếp tục với chip nhớ di động LPGDR4X 16Gb 8 tháng sau đó.
Samsung cho biết họ đã tạo ra một gói DRAM 8GB LPDDR4X di động bằng cách kết hợp 4 chip 16Gb LPDDR4X DRAM 10nm-class (16Gb = 2GB). Gói bốn kênh này có thể hỗ trợ tốc độ truyền tải dữ liệu 34,1GB/giây và độ dày của nó đã giảm hơn 20% so với thế hệ đầu tiên. Chính điều này sẽ cho phép các OEM thiết kế các thiết bị di động mỏng hơn nhưng có hiệu suất xử lí và sử dụng năng lượng hiệu quả hơn.
Với những tiến bộ của LPDDR4X, Samsung sẽ nhanh chóng mở rộng thị phần DRAM di động bằng cách cung cấp nhiều sản phẩm có dung lượng lớn, bao gồm các gói LPDDR4X 4GB, 6 GB và 8GB.
Cùng với việc tung ra LPDDR4X 10nm-class, Samsung đã bắt đầu vận hành một dây chuyền sản xuất DRAM mới tại Pyeongtaek, Hàn Quốc, để đảm bảo nguồn cung cấp ổn định cho tất cả các chip DRAM di động, đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường.
Tham khảo: PhoneArena
Counterpoint: Không phải Xiaomi, Samsung mới là hãng dẫn đầu thị trường smartphone Ấn Độ Q2/2018