Tuần trước, Samsung đã tổ chức Diễn đàn Foundry hàng năm của mình tại Mỹ. Ở sự kiện này, công ty đã tiết lộ lộ trình đưa công nghệ xử lý chip của mình lên 7nm Low Power Plus, 5nm Low Power Early và 3nm Gate-All-Around Early / Plus.
Theo đó, chip 7nm LPP sẽ được sản xuất vào nửa cuối năm nay. Đây cũng là lần đầu tiên Samsung sử dụng giải pháp in thạch bản EUV. Việc đưa công nghệ chip 7nm sẽ chính thức áp dụng cho tất cả các sản phẩm của họ vào nửa đầu năm 2019. Thông tin này có thể khiến các tín đồi của Samsung cảm thấy yên tâm bởi trước đó, Apple và đối tác của họ là TSMC cũng đã bắt đầu sản xuất hàng loạt các chip 7nm+ (cũng sử dụng in thạch bản EUV) và bắt đầu khởi động quy trình sản xuất chip 5nm.
Chip 5nm LPE của Samsung sẽ có điện năng tiêu thụ cực thấp. Các chip được xây dựng bằng công nghệ xử lý này sẽ có hiệu suất được cải thiện và kích thước ô nhỏ hơn. Chúng sẽ bắt đầu được sản xuất vào 2019 và sẽ tiếp tục tiến tới công nghệ 4nm LPE vào 2020.
Với chip 3nm, Samsung sẽ sử dụng kiến trúc GAA (Gate all-around) thế hệ kế tiếp của riêng mình MBCFET. Việc sản xuất chip 3nm sẽ không thể tiến hành sớm hơn 2020. Với kích thước nhỏ hơn, các chip được sản xuất bằng quy trình này mạnh hơn và tiết kiệm năng lượng hơn nhiều so với loại chip truyền thống.