Trang chủ Tin Tức Snapdragon 1000 sẽ có công suất nhiệt (TDP) 12W

Snapdragon 1000 sẽ có công suất nhiệt (TDP) 12W

746
Qualcomm đã giới thiệu Snapdragon 850 cách đây vài ngày – đây là con chip đầu tiên của hãng nhắm vào các thiết bị kiểu như laptop. Snapdragon 850 giống như một phiên bản Snapdragon 845 được ép xung nhưng dù sao đây vẫn là một khởi đầu đầy hứa hẹn.
Ngay sau khi giới thiệu Snapdragon 850, có thông tin cho rằng Qualcomm lại tiếp tục chuẩn bị cho con chip Snapdragon 1000 mạnh mẽ hơn rất nhiều lần.
Hôm nay, GSMArena tiết lộ rằng Snapdragon 1000 sẽ có TDP lên đến 12 W, gần gấp đôi TDP của S850 và lớn cho chip ARM. Để so sánh, dòng U của Intel – ví dụ: 8250U và 8550U – có TDP ở mức 15 W và có bốn lõi với hai luồng (TDP là công suất thoát nhiệt, là lượng nhiệt chip xử lý tỏa ra mà hệ thống làm mát cần phải giải tỏa. … Theo Intel, khi hãng công bố mức TDP cho 1 con chip nào đó – ví dụ chip Core i5-3317U có mức TDP 17W – không đồng nghĩa với việc Core i5-3317U luôn tiêu thụ điện ở mức 17W. Con số thực tế sẽ có thể thay đổi, thấp hơn hoặc cao hơn mức TDP, tùy theo tác vụ mà máy phải xử lý nặng hay nhẹ).
Các lõi của Intel rất lớn so với lõi ARM điển hình nhưng phần mềm sẽ không hoạt động tốt hơn khi sử dụng nhiều hơn 8 lõi. Vậy Qualcomm sẽ làm gì?
Một khả năng là sử dụng lõi Cortex-A76 lớn hơn mà ARM vừa tiết lộ. Nó hứa hẹn tăng hiệu suất 35% ở tốc độ xung nhịp tương tự và điều này phù hợp cho những chiếc smartphone. Trong khi với những chiếc máy tính xách tay 2 trong 1, tốc độ xung nhịp cao hơn và làm mát tốt hơn sẽ cho phép chip duy trì hiệu suất lâu hơn.
Qualcomm có khả năng xem xét tiến trình 7 nm của TSMC để phát triển Snapdragon 1000. Và các laptop siêu di động sẽ chạy phiên bản Windows ARM của Microsoft (nó có hỗ trợ cho các ứng dụng x86).
Asus có thể là công ty đầu tiên trình làng một chiếc laptop với con chip Snapdragon 1000. Nguyên mẫu thử nghiệm của thiết bị này được gọi là “Primus” và có màn hình 1080p, hỗ trợ WiGig wireless.
Tham khảo: GSMArena